碳化硅Mos管:

                         特性:高阻断电压、高频运行、低导通电阻、低反向恢复电荷

                         优点:并联装置方便,无需热失控、系统效率高、高温应用、系统可靠性更高

                         优势:低损耗、开关速度更快、高阻断电压

                         应用:电机驱动器、太阳能/风能逆变器、车载电动汽车充电器、交直流变换器

SiC MOSFET(碳化硅MOSFET)以低导通电阻、低开关损耗、高开关频率、高工作结温等优势称为工业界的"明日之星”

Part Number

Package

RDS (TJ=25℃) Typ

VDc

IDC (TC=25℃)

PD (TJ=25℃)

NF3M30065KTO247-430mΩ650V92A246W
NF3M60065KTO247-460mΩ650V51A208W
NF3M14120K
TO247-414mΩ1200V152A625W
NF3M18120KTO247-418mΩ1200V105A428W
NF3M25120K
TO247-425mΩ1200V79A250W
NF3M35120KTO247-435mΩ1200V69A300W
NF3M40120KTO247-440mΩ1200V76A300W
NF3M50120KTO247-450mΩ1200V58A344W
NF3M70120JTO263-770mΩ1200V36A192W
NF3M80120KTO247-480mΩ1200V38A214W
NF3M80120JTO263-780mΩ1200V31A136W
NF3M160120ETO-263-2L160mΩ1200V17A127W
NF3M160120DTO-247-3160mΩ1200V21A120W
NF3M160120KTO-247-4160mΩ1200V19A120W
NF3M45170DTO-247-345mΩ1700V72A520W
NF3M45170KTO-247-445mΩ1700V72A520W
NF3M65017DTO-247-3650mΩ1700V7A62W
NF3M10017DTO-247-31700V5A69W
NF3M50330KTO-247-450mΩ3300V68A560W

碳化硅MOS的优势:

碳化硅MOSFET不仅适合于从600V到10kV的广泛电压范围,同时具备单极型器件的卓越开关性能,它在开关电路中不存在电流拖尾的情况,具有更低的开关损耗和更高的工作频率。


碳化硅MOS管的应用:

适用于光伏、风电、电动汽车及轨道交通等中高功率电力系统的应用上。拥有高压高频和高效率的优势,是目前国内外电动汽车电机领域研发的重点。 

碳化硅MOSFET各型号产品规格文档下载
电压规格
  • 650V
  • 1200V
  • 1700V
  • 3300V
  • 型号 下载 电压/V 电流/A 电阻 封装形式 双芯 备注
    NF3M20170K        1700  90    TO247-4L     
    NF3M35120D        1200  69    TO-247-3     
    NF3M40120D        1200  73    TO-247-3L     
    NF3M25120K        1200  79    TO247-4     
    NF3M160120K        1200  19    TO-247-4     
    NF3M160120E        1200  17    TO-263-2L     
    NF3M160120D        1200  21    TO-247-3     
    NF3M80120K        1200  38    TO247-4     
    NF3M80120J        1200  32    TO263-7     
    NF3M70120J        1200  36    TO263-7     
    

    备案号:粤ICP备2023038869号

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